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產(chǎn)品參考圖片
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APTML20UM18R010T1AG
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：SP1
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 109A SP1
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：APTML20UM18R010T1AG
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 109A SP1
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：200V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：109A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：19 毫歐 @ 50A，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：9880pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：480W（Tc）
  • 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：底座安裝
  • 器件封裝：SP1
  • APTML20UM18R010T1AG的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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