APTM120A20DG
制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
類別封裝:場效應管模塊,SP6
技術參數:MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
(專注銷售Microsemi電子元器件,承諾原裝!現貨當天發(fā)貨。
(您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購)
參數詳情:
制造商產品型號:APTM120A20DG制造商:Microsemi Corporation(美高森美)描述:MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6系列:-FET 類型:2 個 N 通道(半橋)FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):50A不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):240 毫歐 @ 25A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):600nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):15200pF @ 25V功率 - 最大值:1250W安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6供應商器件封裝:SP6APTM120A20DG的訂貨細節(jié)及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。