Microsemi，美高森美，Microsemi代理商
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APTGT50H60RT3G供應商
產(chǎn)品參考圖片
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APTGT50H60RT3G
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：IGBT模塊，SP3
  • 技術參數(shù)：POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
  • （專注銷售Microsemi電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
  • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APTGT50H60RT3G
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
  • 系列：-
  • IGBT 類型：溝道和場截止
  • 配置：全橋反相器
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80A
  • 功率 - 最大值：176W
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：1.9V @ 15V，50A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）：250μA
  • 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：3.15nF @ 25V
  • 輸入：單相橋式整流器
  • NTC 熱敏電阻：是
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SP3
  • 供應商器件封裝：SP3
  • APTGT50H60RT3G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
    • 節(jié)約時間成本，提高采購效率，Microsemi官網(wǎng)（美高森美）授權代理
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