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APTGT30H170T3G供應(yīng)商
產(chǎn)品參考圖片
APTGT30H170T3G參考圖片
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聯(lián)系方式
APTGT30H170T3G
  • 制造廠商:Microsemi(中文名:美高森美)
  • 類別封裝:IGBT模塊,SP3
  • 技術(shù)參數(shù):IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
  • (專注銷售Microsemi電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
  • (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu))
  • 參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):APTGT30H170T3G
  • 制造商:Microsemi Corporation(美高森美)
  • 描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
  • 系列:-
  • IGBT 類型:溝道和場(chǎng)截止
  • 配置:全橋反相器
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):45A
  • 功率 - 最大值:210W
  • 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.4V @ 15V,30A
  • 電流 - 集電極截止(最大值):250μA
  • 不同 Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):2.5nF @ 25V
  • 輸入:標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻:是
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP3
  • 供應(yīng)商器件封裝:SP3
  • APTGT30H170T3G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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