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APT19F100J
  • 制造廠商：Microsemi（中文名：美高森美）
  • 類別封裝：場效應管模塊，ISOTOP
  • 技術參數：MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
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    • 參數詳情：
  • 制造商產品型號：APT19F100J
  • 制造商：Microsemi Corporation（美高森美）
  • 描述：MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
  • 系列：POWER MOS 8?
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：20A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：440 毫歐 @ 16A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：260nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：8500pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：460W
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應商器件封裝：ISOTOP
  • APT19F100J的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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